集積電子デバイス
(情報科学院情報エレクトロニクスコース 集積電子デバイス研究室)
半導体結晶成長技術をもとに材料・機能デザインを探求することで新しいナノ材料・デバイス・システムを生み出す研究をしています。地球規模の消費エネルギーの削減と技術革新の継続的な加速を両立した未来社会を創り、それを支える人材を育成することを目指しています。
研究概要|研究業績*研究室紹介ポスター.pdf (2017.10.19更新) |
新着情報 (研究室のお知らせ・ニュースはこちら)
■NEWS (2023/04/25更新)
2024
4/2 【お知らせ】 新4年生(4名)が加わりました。
2/6【お知らせ】 修士論文発表会開催 論文題目一覧
2/5【お知らせ】 卒業論文発表会開催 論文題目一覧
教員/研究スタッフ
教授 本久 順一(ナノワイヤ成長・物性・デバイス応用)motohisa [at] ist.hokudai.ac.jpResearch mapセンター長あいさつ |
准教授 冨岡 克広(結晶成長・デバイス)tomioka[at] rciqe.hokudai.ac.jpResearch map研究院紹介記事工学部紹介記事 |
大学院
博士1年 東 佑樹(ナノワイヤ未踏波長光源)学振DC2内定・北大EXEX博士フェローazuma[at] rciqe.hokudai.ac.jp |
博士1年 テイ シヨウ(構造相転移ナノワイヤLED)北大EXEX博士フェローzheng[at] rciqe.hokudai.ac.jp |
博士1年 古内 久大(GaNナノワイヤ)furuuchi[at] rciqe.hokudai.ac.jp |
修士2年 杉田 和陽(ナノワイヤレーザー光源) |
修士2年 竹田 有輝(Si/III-V縦型トランジスタ集積) |
修士2年 森元 祥平(GaNナノワイヤ選択成長/FET) |
修士1年 内田 凌聖(InP構造相転移トランジスタ) |
修士1年 関口 雅也(GaNナノワイヤ選択成長/FET) |
修士1年 谷山 慶太(Si/III-V縦型トランジスタ集積) |
学部生
八宮 道馬(III-Vコアシェルナノワイヤ on Si) |
彦坂 康生(GaNナノワイヤ選択成長) |
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藤本 開(III-VナノワイヤHEMT) |
藤原 拓真(III-Vコアシェルナノワイヤ on Si) |